2015年5月27日水曜日

今日のUS特許英文

今日はbackground of the invention の所から、見てみます。これは通常の産業翻訳と基本同じですね。

The germanium layer deposited over the adjacent CMOS devices is etched to form a germanium active layer within the photonic region, whereby the oxide layer and the second silicon nitride layer protect the adjacent CMOS devices during the etching of the germanium.
is etched to form ....このようなtoは非常に便利ですね、 前から訳すタイプ。
whereby も「そのために、〜となる」みたいな因果関係で便利ですね。


However, during the fabrication process, certain processes, while benefiting or being necessary for the formation and/or operation of one type of device (e.g., CMOS FET), may be detrimental to the formation and/or operation of the other type of device (e.g., Photodetector). 
benefiting (or necessary) for vs. detrimental to(有害な) で対比が見やすい英文ですね。
one type of  vs. the other type of  これも分かりやすいですね。

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